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寬禁帶半導體材料

 

寬禁帶半導體材料(Eg大於或等於2.3eV)被稱為第三代半導體材料,是一種新型材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高等特點,其本身具有的優越性質及其在微波功率器件領域應用中潛在的巨大前景,非常適用於製作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件、紫外光器件和光探測器件等。

   AG亚游电游新材可提供多種寬禁帶半導體MOCVDPVD用蒸鍍材料,部分產品如下:


 

商品編碼

商品名稱

常規型號

Au13503

高純金 顆粒 99.999%

φ3*3mm

Pt13404

高純鉑 顆粒 99.99%

φ2*6mm

Ag13402

高純銀 顆粒 99.99%

φ2*5mm;φ6*6mm

Al13505

高純鋁 顆粒 99.999%

φ3*3mm;φ6*6mm

Al14501

高純鋁 絲狀 99.999%

φ1.0mm;φ2.0mm

Au11323

高純金 靶材 99.99%

φ50.8mm;φ76.2mm;φ101.6mm

Al41424

氮化鋁 靶材 99.99%

φ50.8mm;φ76.2mm;φ101.6mm

Zn31423

氧化鋅 靶材 99.99%

φ50.8mm;φ76.2mm;φ101.6mm

AZO1445

AZO 靶材 99.99% 98:2 wt%

φ50.8mm;φ76.2mm;φ101.6mm

W17313

鎢 蒸發舟(210型)

100*10*0.2mm 槽長50mm

W17305

鎢絲籃 (蒸發用)

φ0.75mm*2 兩端175px 中筐75px

Si16504

單晶矽片 <100> N型單拋
<0.005Ω 氧化層3000A

φ50.8*0.5mm;φ101.6*0.5mm

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