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ITO濺射靶材生產工藝及參數介紹

 

一、ITO靶材的常規參數

    產品名稱:銦錫氧化物(ITO)靶材
    純度:4N(99.99%)

    常規配比:In2O3:SnO2=90:10 wt%,95:5 wt%

    用途:平板顯示器、防輻射玻璃、太陽能電池等

    相對密度:>99%

    失氧率:<2%

    抗折強度:125MPa

    電阻率:≤0.25mΩ·cm

    線膨脹係數:5×10-6K-1

    相結構:單一In2O3相
    形狀規格:在300×300mm×5~10mm尺寸內按用戶要求訂購,片狀

    顏色:灰黑色
    包裝:鋁箔袋真空包裝

二、濺射靶材ITO靶材的生產工藝

    ITO靶材的生產工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下:   

    1.熱等靜壓法
    ITO靶材的熱等靜壓製作過程是將粉末或預先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝製造產品密度高、物理機械性能好,但設備投入高,生產成本高,產品的缺氧率高。
    2.熱壓法
    ITO靶材的熱壓製作過程是在石墨或氧化鋁製的模具內充填入適當粉末以後,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,同時以1000℃~1600℃進行燒結。熱壓工藝製作過程所需的成型壓力較小,燒結溫度較低,燒結時間較短。但熱壓法生產的ITO靶材由於缺氧率高,氧含量分布不均勻,從而影響了生產ITO薄膜的均勻性,且不能生產大尺寸的靶。

    3.燒結法

    ITO靶材燒結製作法是在以銦錫氧化物共沉澱粉末或氧化銦和氧化錫混合粉末為原料,加入粘結劑和分散劑混合後,壓力成型,脫脂,然後於1400℃---1600℃燒結。燒結法設備投入少,成本低,產品密度高、缺氧率低,尺寸大、但製造過程中對粉末的選擇性很強。

ITO靶製備的透明導電薄膜廣泛應用於數碼相機、投影電視、數碼顯示的各種光學係統中,全球需求量都很大。

 

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