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靶材的性能指標

 

靶材製約著濺鍍薄膜的物理,力學性能,影響鍍膜質量,因而要求靶材的製備應滿足以下要求:

1、純度:要求雜質含量低純度高,靶材的純度影響薄膜的均勻性,以純Al靶為例,純度越高,濺射Al膜的耐蝕性及電學、光學性能越好。不過不同用途的靶材對純度要求也不同,一般工業用靶材純度要求不高,但就半導體、顯示器件等領域用靶材對純度要求是十分嚴格的,磁性薄膜用靶材對純度的要求一般為99.9%以上,ITO中的氧化銦以及氧化錫的純度則要求不低於99.99%。

2、雜質含量:靶材作為濺射中的陰極源,固體中的雜質和氣孔中的O2和H2O是沉積薄膜的主要汙染源,不同用途的靶材對單個雜質含量的要求也不同,如:半導體電極布線用的W,Mo,Ti等靶材對U,Th等放射性元素的含量要求低於3*10-9,光盤反射膜用的Al合金靶材則要求O2的含量低於2*10-4。

3、高致密度:為了減少靶材中的氣孔,提高薄膜的性能一般要求靶材具有較高的致密度,靶材的致密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現象等,還影響濺射薄膜的電學和光學性能。致密性越好,濺射膜粒子的密度越低,放電現象越弱。高致密度靶材具有導電、導熱性好,強度高等優點,使用這種靶材鍍膜,濺射功率小,成膜速率高,薄膜不易開裂,靶材的使用壽命長,且濺鍍薄膜的電阻率低,透光率高。靶材的致密度主要取決於製備工藝。一般而言,鑄造靶材的致密度高而燒結靶材的致密度相對較低,因此提高靶材的致密度是燒結製備靶材的技術關鍵之一。

4、成分與組織結構均勻,靶材成分均勻是鍍膜質量穩定的重要保證,尤其是對於複相結構的合金靶材和混合靶材。如ITO,為了保證膜質量,要求靶中In2O3-SnO2組成均勻,都為93:7或91:9(分子比)。

5、晶粒尺寸細小,靶材的晶粒尺寸越細小,濺鍍薄膜的厚度分布越均勻,濺射速率越快。
   我公司生產的靶材具有高密度、高純度、高加工精度、晶粒細小、組織均勻等優點。

 

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